В России разработали установку для получения кристаллов полупроводников

В РФ разработали первую отечественную установку для получения кристаллов нитрида галлия на 200-миллиметровых кремниевых подложках. В ее создании участвовали специалисты из АО "НИИТМ" (входит в ГК "Элемент"), НТЦ микроэлектроники РАН (Санкт-Петербург) и ООО "Софт-Импакт".

Исследователи заявили, что разработка даст возможность локализовать один из основных этапов в производстве силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники.

К таким устройствам, например, относят зарядные устройства для бытовой техники (смартфоны, колонки, ноутбуки и т.д.) и для крупного промышленного оборудования (электромобили, станки, дроны и много другое).

Директор направления электронного машиностроения ГК "Элемент" Юлия Сухорослова сообщила "Известиям", что характеристики нитрида галлия позволяют использовать его в составе самых мощных устройств. В частности, в управляющей микроэлектронике для быстрых зарядных станций. За счет стойкости полученных компонентов восполнение энергии происходит быстрее, чем с помощью современных технологий.

Сухорослова подчеркнула, что на данный момент рынок нитрид-галлиевых компонентов лишь формируется, но его перспективы можно сопоставить с масштабами оборотов кремниевой электроники.